真空镀膜技术是气相物理沉积的方法之一,也叫真空电镀.是在真空条件下,用蒸发器加热镀膜材料使之升华,蒸发粒子流直接射向基体,在基体表面沉积形成固体薄膜.

基本原理:

真空镀膜过程简单来说就是电子在电场的作用下加速飞向基片的过程中与氩原子发生碰撞,电离出大量的氩离子和电子,电子飞向基片.氩离子在电场的作用下加速轰击靶材,溅射出大量的靶材原子,呈中性的靶原子(或分子)沉积在基片上成膜.

但在实际辉光放电直流溅射系统中,自持放电很难在低于1.3Pa的条件下维持,这是因为在这种条件下没有足够的离化碰撞.因此在低于1.3~2.7Pa压强下运行的溅射系统提高离化碰撞就显得尤为重要.提高离化碰撞的方法要么靠额外的电真空炉体安装子源来提供,而不是靠阴极发射出来的二次电子;要么就是利用高频放电装置或者施加磁场的方式提高已有电子的离化效率.

事实上,真空镀膜中二次电子在加速飞向基片的过程中受到磁场洛仑磁力的影响,被束缚在靠近靶面的等离子体区域内,该区域内等离子体密度很高,二次电子在磁场的作用下围绕靶面作圆周运动,该电子的运动路径很长,在运动过程中不断的与氩原子发生碰撞电离出大量的氩离子轰击靶材,经过多次碰撞后电子的能量逐渐降低,摆脱磁力线的束缚,远离靶材,Z终沉积在基片上.

真空镀膜就是以磁场束缚而延长电子的运动路径,改变电子的运动方向,提高工作气体的电离率和有效利用电子的能量.电子的归宿不仅仅是基片,真空室内壁及靶源阳极也真空炉体安装是电子归宿,因为一般基片与真空室及阳极在同一电势.磁场与电场的交互作用(EXB drift)使单个电子轨迹呈三维螺旋状,而不是仅仅在靶面圆周运动.