工艺设备腔体内的真空度是一方面要满足辉光放电的起辉条件，另一方面避免粒子碰撞过多导致动量损失。等离子体化学气相沉积、磁控溅射、干法刻蚀等工艺设备，都是先给个电压让腔体内反应气体离化，形成腔体内等离子体通路和外部电极的电流回路。如果气压过低也就是粒子太少，内部电流通路就无法形成，无法辉光自持。如果气压过高，等离子体在向样品表面移动过程中粒子碰撞，发生动量的方向发散和大小损失，也能影响起辉（撞不开了），对干刻速率等工艺效果有影响。

北京锦正茂科技有限公司拥有专业襄阳真空腔体设计制造技术，根据工业和研究中心的高要求制造腔体，用于高真空和襄阳超高真空制程或学术研究设备。

锦正茂依照客户订制的需求客制化襄阳真空腔体(箱体)，分析您的需求以找到适合的应用设计，并拥有良好品质的制造质量保证，提供安装和咨询现场服务解决方案的协助。此外，锦正茂科技亦有生产和供应范围广泛的真空零组件和真空配件，

例：真空法兰、真空配件、真空波纹管以及蓝宝石真空视窗等，可应用于襄阳真空腔体(箱体)上。